چیپ ۲نانومتری آی‌بی‌ام شارژ موبایل را چهاربرابر می‌کند

شرکت آی‌بی‌ام  با رونمایی از فناوری نخستین تراشه 2نانومتری جهان، تحول بسیار بزرگی را در صنعت نیمه‌هادی پدید آورد. به‌گزارش وب‌سایت دیجیتال ترندز، آی‌بی‌ام با این طراحی جدید توانسته است حداکثر 50میلیارد ترانزیستور را در یک تراشه به‌اندازه ناخن جا دهد که این یک رکورد جدید در این حوزه محسوب می‌شود. رکورد پیشین در این خصوص در سال۲۰۱۷ به‌دست آمده بود که ۳۰میلیارد ترانزیستور در تراشه‌ای قرار داشت که براساس نانوچیپ‌های ۷نانومتری ساخته شده بود. اریو گیل، مدیر تحقیقات شرکت آی‌بی‌ام در این خصوص می‌گوید: «این ابداع برای کل صنعت نیمه‌هادی و فناوری اطلاعات ضروری است». آی‌بی‌ام مدعی شده است که با این تراشه‌های جدید می‌توان 45درصد عملکرد بالا و 75درصد مصرف انرژی کمتری نسبت به تراشه‌هایی با استفاده از فرایند 7نانومتری به‌دست آورد.
 این مهم در دنیای واقعی می‌تواند به‌معنای چهاربرابر‌شدن عمر باتری تلفن‌های همراه و نیاز به شارژ آنها هر 4روز یک‌بار، سرعت بخشیدن به تشخیص اشیا در اتومبیل‌های خودران و بهبود سرعت و کارایی لپ‌تاپ‌ها باشد. شرکت آی‌بی‌ام توانست با استفاده از ورق‌های نانوی انباشته(Gate-All-Around)یا همان GAA به این فرایند جدید دست یابد. 2نانومتر برای صنعت نیمه‌هادی، پایین‌ترین سطح محسوب می‌شود. شرکت TSMC هم‌اکنون یک فرایند 5نانومتری را ارائه می‌دهد و همچنین در حال تحقیق درباره تولید 2نانومتری است و سامسونگ نیز در اوایل سال‌جاری تراشه 3نانومتری را به نمایش گذاشت. برخلاف TSMC و سامسونگ، خود آی‌بی‌ام چیزی را در این خصوص تولید نمی‌کند. این موفقیت از مجتمع نانوتک آی‌بی‌ام آلبانی (IBM's Albany Nanotech) بیرون آمده است؛ جایی که این شرکت در مورد فناوری نیمه‌هادی آینده تحقیق می‌کند. گفته شده است، آی‌بی‌ام چند مشارکت استراتژیک دارد. در سال2014، این شرکت یک قرارداد تولید 10ساله با گلوبال فاندریز امضا کرد. اخیرا نیز آنها همکاری با سامسونگ و اینتل را اعلام کرده‌اند. اگرچه طراحی جدید به‌طور کلی به صنعت نیمه‌هادی سود می‌رساند اما می‌تواند به تقویت تولیدات در ایالات متحده نیز کمک کند؛ به‌خصوص اینکه اینتل هم سعی دارد ظرفیت تولید خود را گسترش دهد.